La série DPSSL CW Deep UV FQCW de Crylas est équipée d'un étage de conversion de fréquence résonant émettant à une longueur d'onde fixe de 266 nm. Son boîtier étanche en aluminium permet un fonctionnement dans une large gamme de conditions environnementales. La dissipation thermique de la tête laser est assurée par un refroidissement par conduction. Huit niveaux de puissance différents, répartis en trois gammes de produits, sont disponibles pour répondre à tous les besoins en UV profond : de 10 mW à 1.2 W à 266 nm.
Fonctionnement en onde continue avec des lasers UV DPSS monomodes
Les lasers UV DPSS monomodes en mode CW présentent un avantage considérable dans l'industrie des semi-conducteurs, car ils permettent d'obtenir des figures d'interférence précises et un faible bruit de fond. Associés à une faible largeur de raie, ils offrent un excellent rapport signal/bruit, garantissant une haute sensibilité de mesure. La stabilité absolue de la longueur d'onde et la grande longueur de cohérence contribuent également à la précision des mesures de longue durée. La capacité de nos lasers CW-DPSS à produire un faisceau d'excellente qualité, à haute puissance et avec un encombrement minimal, offre une flexibilité d'utilisation maximale.
Inspection des Wafers | Détection de la rugosité, des défauts et des particules
Dans l'industrie des semi-conducteurs, les wafers de silicium sont inspectés par diffusion de la lumière à l'aide d'un laser. Ce contrôle qualité repose sur la détection de la rugosité, des défauts et des particules. Avec le développement constant et la miniaturisation croissante des dispositifs semi-conducteurs, la tolérance aux défauts des wafers est de plus en plus faible.
Une tolérance quasi nulle est désormais requise pour la contamination particulaire, les défauts cristallins et autres types de défauts connus. De nouveaux types de défauts engendrent également des difficultés lors de la fabrication des wafers. Afin d'améliorer le rendement de production des semi-conducteurs composés et des dispositifs en silicium, l'étude de la surface, des couches internes et du cristal en volume des wafers revêt une importance grandissante. Outre l'analyse par rayonnement laser, des technologies telles que la diffusion d'électrons ou de rayons X sont couramment utilisées.
Détection de la lumière laser après diffusion élastique par les surfaces
La détection de la lumière laser après diffusion élastique par les surfaces présente plusieurs avantages : une taille minimale détectable pour les défauts et les particules très faible, un débit élevé grâce à la puissance élevée, une bonne résolution grâce à la faible longueur d’onde et une rapidité de traitement lors de l’analyse en ligne. L’inspection des wafers par laser permet une sensibilité et un débit élevés sur la surface du wafer avant la structuration proprement dite.
Les facteurs influençant la qualité de la surface, tels que les non-uniformités, les défauts, les particules et les rayures, la planéité, les irrégularités de la structure cristalline ou l’uniformité du dopage, peuvent être déterminés et améliorés grâce à des applications laser et interférométriques.
Les lasers Skylark conviennent à l’inspection, à la métrologie et à certaines étapes de fabrication optique ou d’analyse associées aux semi-conducteurs :
Inspection avancée de wafers (détecter défauts, contamination, micro-défaillances, surface, haze…) grâce à un illumination UV stable et uniforme.
Métrologie et caractérisation :
Scatterométrie / OCD (mesure dimensions critiques)
Photoluminescence pour analyser la qualité de matériaux (SiC, GaN, AIN)
Contrôle qualité en fabrication de semi-conducteurs, notamment pour les matériaux à large bandgap
Inspection de défauts de surface (rayleigh scattering / drak-field ou bright field)
Lasers pour semi-conducteurs à large bande interdite
Obtenez un contrôle haute précision et à haut débit des semi-conducteurs à large bande interdite grâce à un éclairage ultraviolet uniforme.
Avec un faible bruit d'intensité relative, une stabilité de longueur d'onde exceptionnelle et un faisceau pur TEM₀₀, les lasers UV Skylark NX à 320 et 349 nm fournissent l'éclairage UV uniforme requis pour les applications avancées telles que l'inspection de wafers, la scatterométrie OCD et l'analyse de photoluminescence de matériaux à large bande interdite comme le SiC, l'AlN et le GaN.
Lasers pour la fabrication de réseaux de diffraction
Créez des réseaux de diffraction optiques de haute qualité grâce aux lasers DPSS conçus pour une fabrication de précision à haut débit.
Grâce à leur intensité uniforme, leur sortie ultra-stable et leur cohérence, les lasers 320 NX et 349 NX sont utilisés dans de nombreux procédés de gravure de réseaux optiques. Ils permettent de créer des réseaux optiques haute qualité et haute fidélité pour diverses techniques de gravure et applications :
Réseaux de Bragg volumiques (VBG), réseaux de Bragg volumiques à fréquence modulée (CVBG), capteurs à réseau, éléments optiques diffractifs (DOE), fabrication de réseaux de diffraction, lithographie par interférence laser, holographie, spectroscopie, interférométrie, lithographie.
>Découvrir les lasers Skylark<
Lasers CNI pour l'inspection des semi-conducteurs
Le développement des technologies de pointe à l'échelle mondiale repose en grande partie sur les puces. Ces puces sont fabriquées par découpe et assemblage de wafers de différentes spécifications. En raison des différents niveaux de technologie, les wafers peuvent présenter des redondances, des défauts cristallins, des dommages mécaniques et d'autres défauts. Par conséquent, l'inspection des wafers revêt une importance particulière, et la demande du marché pour les équipements d'inspection de wafers est important.
Les lasers sont largement utilisés dans le processus d'inspection des semi-conducteurs, notamment en champ sombre et en champ clair, pour analyser et détecter de multiples types de défauts dans les matériaux semi-conducteurs, tels que les microtubes et les micropuits, les défauts en forme de carotte et les dislocations basales, les erreurs d'empilement et les agrégats de marches, autant d'éléments essentiels pour les fabricants de dispositifs semi-conducteurs.
Les technologies relatives à l'inspection des semi-conducteurs comprennent la photoluminescence, l'interférométrie, la fluorescence, la spectroscopie Raman et l'ellipsométrie.
CNI propose des lasers UV de 193 à 400 nm, notamment à 303 nm, 313 nm, 320 nm, 325 nm, 349 nm et 360 nm, ainsi que des lasers SLM dans les longueurs d'onde UV, bleue, rouge et verte. Ces lasers sont intrinsèquement monomodes et présentent une excellente durée de vie, une grande stabilité de puissance, un profil de faisceau optimal et un faible bruit optique.
Inspection de semi-conducteur par MicroSupport
L’inspection au niveau microscopique de vos matériaux semi-conducteurs nécessite une manipulation précise et fluide. Celle-ci est facilité par l’utilisation d’un système de micromanipulation motorisé permettant le contrôle facile d’outils de précision (micro-pointes, micro-ciseaux, micro-pipettes, micro-couteaux, micro-pinces, …)
Applications :
- Élimination de substances étrangères, de contaminants
- Ramassage de matière ciblées
- Examens de qualité de produits
- Préparation d’échantillons pour équipement analytique FT-IR, Raman, SEM, TEM, FIB
- Utilisation en boite à gants