Et ces propriétés peuvent être caractérisées par des techniques de spectroscopie et d’imagerie optiques telles que la photoluminescence (PL), la photoluminescence résolue en temps (TRPL), l’électroluminescence (EL), ou encore l’imagerie confocale RAMAN.

Exemples d’applications :

  • Dynamique de wafers de puits quantiques dans les dispositifs optoélectroniques et à semi-conducteurs

Mesures TRPL résolues spectralement pour séparer les contributions de différentes couches 
Mesures TRPL résolues spectralement pour séparer les contributions de différentes couches 

Time-resolved photoluminescence emission spectrum with three peaks from different layers

 


Détection des interactions couche à couche par spectres d’excitation
Détection des interactions couche à couche par spectres d’excitation

Excitation spectra of quantum well wafer

 


Mise en évidence de comportement de saturation de la dynamique des porteurs de charge libres par TRPL dépendant de l’intensité d’excitation
Mise en évidence de comportement de saturation de la dynamique des porteurs de charge libres par TRPL dépendant de l’intensité d’excitation

Normalized photoluminescence decay curves acquired with different excitation intensities. Inset: Average lifetime increases with increasing excitation intensity

 

 Observation directe de diffusion de porteur par imagerie TRPL
 Observation directe de diffusion de porteur par imagerie TRPL

Left: TRPL image after excitation of the central spot. Middle: Three ROIs of increasing diameter are selected. Right: Normalized photoluminescence decay curves obtained from each ROI

>Pour en savoir plus sur PicoQuant< et pour >consulter les publications<

  • Caractérisation en imagerie hyperspectrale de différents défauts présents dans les diodes PIN de SiC
  • Etude de l'uniformité des propriétés optoélectroniques dans des cellules solaires de perovskite, CIGS, CIS et GaAs, de verres de chalcogénures, et de GeSn/Ge/Si
  • Identification de couches de MoS2 et analyse des contraintes dans une plaque de Si recouverte de SiO2.
  • Calibration de détecteur proche infra-rouge avec une source accordable en longueur d’onde
  • Caractérisation de photodétecteur à hétérojonction Mg2Si/Si développé avec l’aide de nanostructures
  • Caractérisation de nanoparticules BiVO4 pilotées par la lumière visible grâce à la substitution de W et Mo
  • Caractérisations optiques et électriques de l’effet de dopage volatil issu du processus de photo-résine bicouche dans les transistors à effet de champ en MoS2

 
Brochure Défense

Fig. 1 - a) Real color EL of SiC pin diode and b-d) monochromatic EL images extracted from the hyperspectral data, after annealing, e) EL spectra of regions one and two (see a)). Adapted from [1].

>Pour en savoir plus sur Photn etc< et pour >consulter les publications<

  • Applications RAMAN

Applications RAMAN

 

Instruments : 
TRPL (PicoQuant) :

EL et PL par imagerie hyperspectrale (Photon etc) :

Imagerie confocale RAMAN (Nanobase)